Улаанбаатар
Эрдэмтэд наноэлектроникийн салбарт ирээдүйтэй хагас дамжуулагчийн эмзэг талыг нь илрүүлжээ
ДЭЛХИЙН МЭДЭЭ | ШИНЖЛЭХ УХААН
МОСКВА./ТАСС/. Орос, Герман, Венесуэлийн эрдэмтэд хоёр хэмжээст хагас дамжуулагч галлийн селенид нь агаартай харьцахад эмзэг, дутагдалтай болохыг нь тогтоосон ба ингэснээр галлийн селенидэд суурилсан хэт дамжуулалтын наноэлектроникийг бий болгох боломжтой болж байна гэж лхагва гарагт Томскийн политехникийн их сургуулийн /ТУИС/ хэвлэлийн алба мэдээлжээ. Дээрх судалгааны дүн Германы “Semiconductor Science and Technology“ сэтгүүлд нийтлэгджээ.
Хоёр хэмжээст хагас дамжуулагч нь атомын нэг эсвэл хэд хэдэн үе давхрагаас бүрддэг ба эдгээр хагас дамжуулагч нь овор хэмжээ багатай, цахилгаан дамжуулах чадвар сайтай, бат бөх байдаг нь наноэлектроникийн үндэс суурь болох бүрэн боломжтой ажээ. Үүнээс гадна, дээрх хагас дамжуулагч нь оптик-электроникт ихээхэн сонирхол татаж байгаа материал юм. Гэхдээ опто-электроникт ашиглахын тулд уг хагас дамжуулагч нь гэрэл тусгахад ихээхэн хэмжээний электроны урсгалыг бий болгож чадахуйц материалаар хийгдсэн байх ёстой аж. Чухам ийм материалуудын нэг нь галлийн селенид юм.
“Галлийн селенидийн исэлдэлт мэдрэх чадварыг нь судалснаар галлийн селенидийг хамгаалах, түүний опто-электроникийн шинж чанарыг нь алдагдуулахгүй байх шийдлийг санал болгох боломжийг олгож байгаа юм” хэмээн дээрх хэвлэлийн мэдээнд дурджээ.
Дээрх судалгааны зохиогчдын нэг ТУИС-ийн лазер, гэрлэн техникийн тэнхимийн профессор Рауль Родригесын хэлснээр, галлийн селенид дээр суурилсан бодит цахим төхөөрөмжийг хараахан бүтээж чадаагүй байгаа ажээ. Галлийн селенид нь агаартай харьцах үедээ хурдан исэлдэж, наноэлектроникийн төхөөрөмжийг бүтээхэд шаардагддаг өөрийн цахилгаан дамжуулах чадвараа алддаг байна. “Бидний явуулсан судалгааны дүн хоёр хэмжээст галлийн селенидийн исэлдэх процесс нь хурдан явагддаг болохыг харуулж байгаа юм. Уг материал агаартай дөнгөж харьцахдаа л шууд шахуу исэлдэлтийн төлөв байдалд шилждэг” хэмээн эрдэмтэд ярьжээ.
Судлаачдын олж тогтоосноор, галлийн селенидийн өөрийнх нь шинж чанарыг алдагдуулахгүйн тулд түүнийг вакуумд эсвэл инерт хийн орчинд байлгах ёстой ажээ. Жишээ нь, галлийн селенидийг вакуумд үйлдвэрлэснийхээ дараагаар агаар нэвчилтийг хязгаарласан хамгаалалтын давхрагаар бүрсэн капсултай төхөөрөмжид ашиглах боломжтой юм.
Ийм аргаар орчин үеийн шинэ опто-электроник, детекторууд, гэрлийн эх үүсвэр, нарны зай зэргийг үйлдвэрлэх боломжтой ажээ. Ийм төхөөрөмжүүд нь хэмжээг нь хэт жижиг болгох үед маш өндөр квант чанартай болдог, өөрөөр хэлбэл, гадны үйлчлэл бага үед ихээхэн хэмжээний электроны урсгал бий болгох чадвартай байдаг байна.
Хоёр хэмжээст хагас дамжуулагч нь атомын нэг эсвэл хэд хэдэн үе давхрагаас бүрддэг ба эдгээр хагас дамжуулагч нь овор хэмжээ багатай, цахилгаан дамжуулах чадвар сайтай, бат бөх байдаг нь наноэлектроникийн үндэс суурь болох бүрэн боломжтой ажээ. Үүнээс гадна, дээрх хагас дамжуулагч нь оптик-электроникт ихээхэн сонирхол татаж байгаа материал юм. Гэхдээ опто-электроникт ашиглахын тулд уг хагас дамжуулагч нь гэрэл тусгахад ихээхэн хэмжээний электроны урсгалыг бий болгож чадахуйц материалаар хийгдсэн байх ёстой аж. Чухам ийм материалуудын нэг нь галлийн селенид юм.
“Галлийн селенидийн исэлдэлт мэдрэх чадварыг нь судалснаар галлийн селенидийг хамгаалах, түүний опто-электроникийн шинж чанарыг нь алдагдуулахгүй байх шийдлийг санал болгох боломжийг олгож байгаа юм” хэмээн дээрх хэвлэлийн мэдээнд дурджээ.
Дээрх судалгааны зохиогчдын нэг ТУИС-ийн лазер, гэрлэн техникийн тэнхимийн профессор Рауль Родригесын хэлснээр, галлийн селенид дээр суурилсан бодит цахим төхөөрөмжийг хараахан бүтээж чадаагүй байгаа ажээ. Галлийн селенид нь агаартай харьцах үедээ хурдан исэлдэж, наноэлектроникийн төхөөрөмжийг бүтээхэд шаардагддаг өөрийн цахилгаан дамжуулах чадвараа алддаг байна. “Бидний явуулсан судалгааны дүн хоёр хэмжээст галлийн селенидийн исэлдэх процесс нь хурдан явагддаг болохыг харуулж байгаа юм. Уг материал агаартай дөнгөж харьцахдаа л шууд шахуу исэлдэлтийн төлөв байдалд шилждэг” хэмээн эрдэмтэд ярьжээ.
Судлаачдын олж тогтоосноор, галлийн селенидийн өөрийнх нь шинж чанарыг алдагдуулахгүйн тулд түүнийг вакуумд эсвэл инерт хийн орчинд байлгах ёстой ажээ. Жишээ нь, галлийн селенидийг вакуумд үйлдвэрлэснийхээ дараагаар агаар нэвчилтийг хязгаарласан хамгаалалтын давхрагаар бүрсэн капсултай төхөөрөмжид ашиглах боломжтой юм.
Ийм аргаар орчин үеийн шинэ опто-электроник, детекторууд, гэрлийн эх үүсвэр, нарны зай зэргийг үйлдвэрлэх боломжтой ажээ. Ийм төхөөрөмжүүд нь хэмжээг нь хэт жижиг болгох үед маш өндөр квант чанартай болдог, өөрөөр хэлбэл, гадны үйлчлэл бага үед ихээхэн хэмжээний электроны урсгал бий болгох чадвартай байдаг байна.
О.Барс
